本发明公开了一种半导体器件的交替排列的P柱和N柱的形成方法，包括步骤：形成第一半导体层；生长第一介质膜；在第一半导体层中形成多个第一沟槽；第一沟槽的内部表面生长第二介质膜；去除第一沟槽的底部表面的第二介质膜；对第一沟槽底部的第一半导体层进行刻蚀形成第二沟槽；用选择性外延工艺在第二沟槽中生长第二半导体层；对第二半导体层进行反刻直至将第二介质膜完全暴露出来；将第二介质膜去除；用选择性外延工艺在第一沟槽中生长第三半导体层；进行ＣＭＰ平坦化并去除第一介质膜。本发明能降低半导体外延填充沟槽的难度以及降低半导体外延填充沟槽后的空洞残留，能提高半导体外延填充沟槽的质量以及提高器件的性能和产品的良率。