本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。