一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包括一栅极、一通道层、一栅绝缘层、一源极、一漏极以及一硅铝氧化物层。栅极配置于基板上。通道层配置于基板上，且与栅极重叠设置。栅极绝缘层位于栅极与通道层之间。源极以及漏极设置于通道层二侧。硅铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、漏极以及通道层。