本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，在硅基片的背面形成有沟槽，该沟槽将场阻断层分割层一个三维结构，这样不仅能够增加场阻断层的深度，还能提高场阻断层的激活效率。在沟槽中形成有快速恢复二极管的第一电极区，从而能够实现IGBT器件和快速恢复二极管的集成。本发明还公开了一种逆导型IGBT半导体器件的制造方法。