本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；以及形成在电子传输层上的电子供给层，其中在衬底的表面上以混合方式存在与电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。