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> 技术详情
应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构
编号:S000018699
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-04
浏览:
2378
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,属于离子迁移谱技术领域。该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔,且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率,进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能,同时,半导体电热膜本身的工作温度可达300℃以上,在清洗离子迁移管时,能有效缩短所需时间。且本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构,其结构简单,成本低廉,应用范围也较为广泛。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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