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一种半导体器件反向击穿电压测试系统
编号:S000018693 刷新日期: 有效日期至:2020-10-30 浏览:2025 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体器件反向击穿电压测试系统,通过FPGA控制逻辑单元产生逐步增加的斜坡电压数字信号给高压激励源,输出斜坡电压反向加载到半导体器件上,然后,通过测流电路对半导体器件反向电流进行测试,如果大于设定的电流监测阈值,则输出电流监测信号给FPGA控制逻辑单元启动AD转换,对测压电路测得的电压进行AD转换,得到半导体器件反向击穿电压,同时停止斜坡电压的增加。与传统的静态测试方法相比,不需要等待半导体器件两端施加的反向电压稳定(稳定时间在ms级),这样不仅减少了测试的时间,减少了半导体器件损坏的风险,而且还会减小由于半导体器件温度上升而影响到最终的测试结果,从而提高了测试效率和精度。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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