本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括一衬底、一主体结构、一第一介电层、一第一条状导电块和一第二条状导电块、一第二介电层以及一导电结构。主体结构形成于衬底上，第一介电层形成于衬底上并围绕主体结构的两侧壁和顶部。第一条状导电块和第二条状导电块分别形成于第一介电层的两侧壁上。第二介电层形成于第一介电层、第一条状导电块及第二条状导电块上，导电结构形成于第二介电层上。