本发明涉及半导体装置及其制造方法、电子装置和交通工具。本发明使得可以在垂直型双极晶体管中抑制SOA（安全工作区）变窄。p型基极层150在厚度方向上的杂质分布中包括第一峰、第二峰和第三峰。第一峰位于半导体衬底100的最顶表面侧。第二峰比第一峰更靠近半导体衬底100的底面侧并且高于第一峰。第三峰位于第一峰与第二峰之间。