本发明公开一种半导体封装构造及其制造方法，所述制造方法是先提供一薄型重布线转接层，其设于一半导体基材层上；再通过一粘着层将所述薄型重布线转接层固定在一临时性承载板上；接着，移除所述半导体基材层；并对所述薄型重布线转接层的上表面进行钻孔；随后，将一芯片电性连接在所述薄型重布线转接层上；然后，利用一封装胶体包覆所述芯片；再移除所述粘着层及临时性承载板；最后，将所述薄型重布线转接层电性连接至一电路基板上。所述薄型重布线转接层不具有硅基材，同时也不需进行穿硅导通孔工艺，可以取代现有硅间隔层，不但有利于封装构造的薄型化趋势，并可相对降低封装成本。