本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件的半导体装置中，具备充分功能的电容元件。由同一多晶硅在有源区域上形成电容元件，在元件分离区域上形成电阻元件之后，通过CMP或蚀刻等在使基板表面平坦化的同时削至期望的电阻元件的膜厚。此时，根据有源区域与元件分离区域的高度差异，形成膜厚较薄的电阻元件和膜厚较厚的电容元件的上部电极。由于电容元件的上部电极具有充分的膜厚，因而可防止触点的穿透。