半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一鳍部，所述第一鳍部侧面与衬底表面垂直，所述第一鳍部两侧具有第一隔离层；采用氧化和刻蚀工艺对所述第一鳍部和第一隔离层进行处理，形成第二鳍部和第二隔离层。所述半导体结构的形成方法，还包括在第二鳍部表面形成栅极结构，所述栅极结构横跨第二鳍部顶部和侧壁；在第二鳍部两端形成源极和漏极，所述源极和漏极位于栅极结构的两侧。本发明的实施例在对鳍部两侧隔离层进行回刻的同时形成侧壁倾斜的鳍部，方法简单，形成的鳍部有利于栅极结构的形成，提高鳍式场效应晶体管的性能。