根据实施例的一种半导体存储器装置包括存储器基元阵列，该存储器基元阵列包括存储器基元层，所述存储器基元层包含可通过操作以根据不同的电阻状态存储数据的多个存储器基元；以及可通过操作对所述存储器基元进行存取的存取电路，所述存储器基元在施加具有第一极性的电压时，将所述电阻状态从第一电阻状态改变为第二电阻状态，以及在施加具有第二极性的电压时，将所述电阻状态从所述第二电阻状态改变为所述第一电阻状态，所述存取电路将对所述存储器基元进行存取所需的电压施加到与选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线，并将与未选择的存储器基元相连的所述第一线和所述第二线中的至少一者置于浮动状态以对所述选择的存储器基元进行存取。