一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成金属刻蚀停止层；刻蚀所述金属硬掩膜层形成分立的暴露金属刻蚀停止层表面的第一开口和第二开口，第一开口宽度小于第二开口宽度，所述金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比。以金属刻蚀停止层作为刻蚀停止层，当刻蚀金属硬掩膜层形成宽度不同的第一开口和第二开口时，但由于金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比，第一开口和第二开口底下对应的金属刻蚀停止层的过刻蚀量可以忽略不计，不会对后续的工艺窗口产生影响。