本发明提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。挠性半导体装置的制造方法包括：形成栅电极的工序；与栅电极相接触地形成栅极绝缘膜的工序；按照与栅电极对置的方式在栅极绝缘膜上形成半导体层的工序；与半导体层相接触地形成源电极、漏电极的工序；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成挠性薄膜层的工序；在挠性薄膜层形成通孔的工序；通过在挠性薄膜层上层叠金属箔来形成第1金属层，由此得到半导体装置前体的工序；以及加工第1金属层并由第1金属层的一部分形成布线的工序，在第1金属层的加工时，通过将多个通孔中的至少一个通孔用作定位标记，由此在规定位置处形成布线。