本发明涉及半导体放电器件及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底内形成阱区段。在所述阱区段内和/或之上形成多个晶体管。所述方法还包括在衬底内形成第一放电器件。第一放电器件耦合到所述阱区段和低电压节点。在后续处理期间，第一放电器件从所述阱区段对电荷进行放电。