本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括位于终端区的多个悬浮的沟槽栅，其沟槽深度大于或者等于位于有源区的体区的结深。该沟槽式金属氧化物半导体场效应管还包括至少一个沟道阻止沟槽栅，其围绕在所述的悬浮的沟槽栅的外围并连接到至少一个延伸入切割道的切割沟槽栅，以防止在漏区和源区间形成漏电通道。