本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为In_mGa_1-mAs_1-nBi_n，所述量子阱结构中势垒层的材料为In_xGa_1-xAs_1-yBi_y，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用In_xGa_1-xAs_1-yBi_y材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。