本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。