本发明涉及半导体ESD电路和方法。在一个实施例中，一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路包括第一MOS器件，其具有耦接到第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极。该ESD电路还包括：第一电容器，耦接在第一MOS器件的栅极和第一节点之间；第一电阻器，耦接在第一MOS器件的栅极和中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到中间节点的第一源极/漏极和耦合到第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在第二MOS器件的栅极和第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在第二MOS器件的栅极和第二节点之间。