本发明涉及半导体器件。半导体器件包括具有水平面的衬底。半导体器件包括形成在衬底的水平面上方的互连结构。互连结构包括感应线圈，该电感线圈被基本上缠绕在与衬底的水平面垂直的垂直平面上。互连结构包括被设置为紧邻感应线圈的电容器。电容器具有阳极元件和阴极元件。感应线圈和电容器均包括多个水平延伸的伸长件。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。