一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。