本发明公开一种半导体元件的制造方法，包括下列步骤。首先，于基底上形成多个堆叠结构，其中各堆叠结构由下而上依序包括穿隧介电层、浮置栅极、栅间介电层以及控制栅极。接着，形成覆盖于堆叠结构的第一介电层，其中第一介电层具有多个悬突，悬突包覆堆叠结构的顶部。然后，进行干式共形蚀刻制作工艺，以共形地移除第一介电层，直到移除位于控制栅极顶部的高度以下的第一介电层。接下来，在堆叠结构上形成第二介电层，其中第二介电层连接相邻的悬突，而在堆叠结构之间形成气隙。