本发明公开了一种半导体电容器，其包括衬底，衬底上依次具有第一金属电极层、第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层、第二金属电极层；第一引出电极，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层并穿入第一金属电极层的一部分形成；第一引出电极隔离，其穿透第一氧化硅层、第一致密氧化硅层、氮化硅层、第二致密氧化硅层、第二氧化硅层和第二金属电极层形成，从而实现对第一引出电极的电隔离；第二引出电极，其穿入第二金属电极层的一部分形成。