公开了一种包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。由于采用屏蔽层，在结型场效应晶体管中产生新的夹断区，从而可以减小夹断电压。