本发明还提出了一种反应腔室，包括：具有工艺腔的腔体，工艺腔内设有沿上下方向间隔开的上电极和下电极；远程等离子体源；清洗气体管道，清洗气体管道的上端与远程等离子体源相连且清洗气体管道的下端伸入工艺腔内；和阀，阀设在清洗气体管道上且邻近清洗气体管道的下端。根据本发明实施例的反应腔室，避免了清洗气体管道内部起辉而产生粉尘，减少了氟离子的损耗。本发明还提出了一种具有上述反应腔室的半导体设备。