本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，特别适用于平板显示、相变存储器的读写器件以及基于柔性衬底的半导体器件的制造中。