本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为，衬底10上实现nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成，为高压器件提供了低阻的导电通道，提高器件的电导率，大大降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明尤其适用于功率半导体器件及其制造。