本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：配置于基板(1)的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层(2)、配置于半导体层(2)且具有底面及侧面的沟槽(5)、配置于沟槽(5)的底面及侧面上的绝缘区域(11)、以及配置于沟槽(5)内且通过绝缘区域(11)而与半导体层(2)绝缘的导电层(7)，绝缘区域(11)包括：配置于沟槽(5)的底面及侧面上的栅极绝缘膜(6)；和在沟槽(5)的底部配置于栅极绝缘膜(6)与导电层(7)之间的空隙(10)，栅极绝缘膜(6)在沟槽(5)侧面的一部分上与导电层(7)相接、而在沟槽(5)底面上与导电层(7)并不相接，从沟槽(5)的底面到导电层(7)的下表面为止的绝缘区域(11)的厚度，在沟槽的中央部要比沟槽的所述侧面附近大。