本发明提供一种含介电层的半导体原件的切割方法，本发明先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作对532nm激光透过率大于30%的介电层，然后依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，最后裂片以完成切割。本发明通过在半导体衬底背面制作对532nm激光透过率较高的介电层，使532nm激光可以用于隐形切割，避免了1064nm激光切割时造成器件的漏电流，同时大大地降低了制造的成本。