一种半导体结构，其中包括三维结构的多个堆叠的半导体芯片。第一半导体芯片与第二半导体芯片相接触。第一半导体芯片包括：延伸穿过第一半导体芯片的硅通孔(TSV)；第一半导体芯片表面上的导电衬垫，TSV以接触到导电衬垫的第一侧面而终止；覆盖导电衬垫的钝化层，钝化层具有多个开口；以及形成在多个开口内并且与导电衬垫的第二侧面相接触的多个导电结构，多个导电结构与导电衬垫的接触相对于TSV与导电衬垫的接触而偏置。