本发明涉及用于在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法。一种在半导体装置中形成沟槽的方法包含在半导体层的第一部分上方形成蚀刻剂阻挡层。使用第一蚀刻剂在所述半导体层的第二部分中蚀刻第一沟槽。所述半导体层的所述第二部分未安置于所述蚀刻剂阻挡层下方。使用第二蚀刻剂蚀刻穿透所述蚀刻剂阻挡层，所述第二蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层。使用第三蚀刻剂在所述半导体层的所述第一部分中蚀刻第二沟槽。所述第三蚀刻剂还延伸所述第一沟槽的深度。