本发明提供一种含金属背镀的半导体原件的切割方法，属于半导体领域。首先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作金属背镀层，采用离焦式激光处理去除与各该半导体单元相应的金属层形成切割道，通过该切割道对半导体衬底进行隐形切割形成变质层，最后进行裂片以完成切割。本发明提供了一种将隐形切割技术应用于具有金属背镀的器件的切割方法，克服了传统切割工艺容易造成器件面积的损失或容易造成晶粒分裂的缺陷，并且提高了器件切割的良率。本发明工艺简单，适用于工业生产。