本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种形成半导体通孔的方法。本发明提出一种形成半导体通孔的方法，通过量测对比硬掩膜上对应通孔位置的关键尺寸与工艺需求的关键尺寸大小，并根据该量测结果采用保型沉积硬掩膜或刻蚀工艺来调整硬掩膜上对应通孔位置的关键尺寸，以使其符合工艺需求，不仅降低了工艺成本，还提高了生产能力。