本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；栅堆叠，位于所述衬底之上；侧墙，位于所述栅堆叠的侧壁上；源/漏扩展区，位于所述栅堆叠两侧的衬底中，通过外延生长形成；源/漏区，位于所述源/漏扩展区两侧的衬底中。相应地，本发明还提供了形成该半导体结构的制造方法。本发明可以形成掺杂浓度高、结深浅的源/漏扩展区，从而有效地提高了半导体结构的性能。