本发明提供一种复合半导体层，其包括：SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入\输出信号线上，该第二辅助输入\输出信号线通过第三过孔连接到第一辅助输入\输出信号线上，所述漏极通过第二过孔连接到第一金属电极上；所述第一金属电极通过第四过孔连接到第二金属电极上，且该第二金属电极的一端通过第一通孔连接到第二输入\输出信号线上，在该第二金属电极另一端上依次沉积铁电层、反铁磁层、下部铁磁层、隧道绝缘势垒层、上部铁磁层、顶部覆盖层；所述反铁磁层通过第二通孔连接到第三输入\输出信号线上；所述顶部覆盖层通过第五过孔连接到第一输入\输出信号线上。