本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有槽栅超结的半导体功率器件的制造工艺难度较大的问题，提供了一种纵向功率半导体器件的制造方法，其技术方案可概括为：首先外延形成第一半导体区，在其顶部生长氧化层及淀积掩蔽层，并进行光刻，刻蚀形成第一沟槽，再在第一沟槽两侧壁形成氧化层，并湿法刻蚀去除该氧化层，再在其内壁形成氧化层，并在第一沟槽两侧壁形成第二半导体区，之后去除该氧化层，然后再次形成氧化层，填充绝缘介质并进行平坦化，再形成体区，在体区上刻蚀形成第二沟槽，并制作槽栅，最后形成源区和体接触区，并进行各电极制备以及表面钝化工艺。本发明的有益效果是，工艺难度较低，适用于MOS控制的纵向器件。