本发明提供一种用于制造一半导体结构的方法。该方法包括：在一半导体晶粒上形成一导电衬垫；在该导电衬垫上方形成一晶种层；在该晶种层上方界定一第一遮罩层；及在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体。该在该第一遮罩层中形成一银合金凸块本体包括以下操作：制备一第一基于氰化物的电镀浴；将该第一基于氰化物的电镀浴的一pH值控制在6至8的一范围内；将该半导体晶粒浸没至该第一基于氰化物的电镀浴中；及将0.1ASD至0.5ASD的一电镀电流密度施加至该半导体晶粒。