一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，该宽沟渠终端结构包含：一宽沟渠结构，界定于一半导体基板上且其宽度大于主动结构区的窄沟渠结构宽度；一氧化层，位于该宽沟渠结构的内表面上；至少一沟渠多晶硅层，位于该氧化层上且在该宽沟渠结构的内侧壁上；一金属层，位在未被该沟渠多晶硅层覆盖的氧化层上及该沟渠多晶硅层上；及一氧化层侧壁，位在该半导体基板上且在该宽沟渠结构外侧。