本发明涉及一种制备TEM样品的半导体结构和方法，其中，所述半导体结构包括一衬底，且该衬底上设置有一测试层，所述测试层包括一测试结构，所述半导体结构还包括复制层，所述复制层包括一复制结构；所述复制结构位于所述测试结构的正上方，且该复制结构的上表面图案与该测试结构的上表面图案相同。所述方法为采用上述的半导体结构制备TEM样品，研磨所述半导体结构至所述复制层的上表面；根据所述复制层上表面的图案结构，制备所述测试结构的TEM样品。通过本发明能够提高TEM制样的效率和效果。