本发明公开了一种功率半导体装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，其具有一第一导电型；在所述的基底上形成一半导体层，其具有一第二导电型；在所述的半导体层上形成一硬掩模图案，其具有至少一开口，显露出部分的所述的半导体层；进行第一次沟渠蚀刻，经由所述的开口蚀刻所述的半导体层中，而形成一第一沟渠；进行第一次离子注入工艺，垂直将第一掺质经由所述的开口注入所述的第一沟渠的底部，而形成一第一掺杂区；及进行第二次沟渠蚀刻，经由所述的开口蚀穿所述的第一掺杂区，而形成一第二沟渠。