本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：衬底；形成在衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成在电子供给层上或上方的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层与栅电极之间的第一p型半导体层；以及形成在源电极和漏电极中的至少之一与电子供给层之间的第二p型半导体层。第二p型半导体层上的源电极和漏电极之一包括：第一金属膜；以及在第一金属膜的栅电极侧上接触第一金属膜的第二金属膜，并且第二金属膜的电阻高于第一金属膜的电阻。