本发明提供了一种沟槽的形成方法及半导体结构，其中，所述沟槽的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层具有开口，所述图案化的硬掩膜层的厚度为100nm～400nm；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽。通过本发明提供的沟槽的形成方法，无需增加制造工艺、也不增加材料成本，能够通过工艺简单、成本低廉的方法形成有利于多晶硅材料或绝缘材料填充的沟槽。