本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区域具有与第一区域相比更低浓度的载流子，所述第二区域所具有的所述载流子是通过活化与第一杂质为相同类型的第二杂质产生的。