本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。