一种半导体装置的制造方法，具备：在第1导电型的半导体基板的上表面形成多个沟槽的工序；在上述沟槽的内面上形成栅绝缘膜的工序；在上述沟槽内的下部埋入栅电极的工序；在上述沟槽内的上部埋入绝缘部件的工序；将上述半导体基板的上层部除去从而使上述绝缘部件从上述半导体基板的上表面突出的工序；以覆盖突出的上述绝缘部件的方式形成掩模膜的工序；将在上述掩模膜的在上述绝缘部件的侧面上形成的部分作为掩模而向上述半导体基板注入杂质从而形成第2导电型的载流子排出层的工序。