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> 技术详情
半导体器件及其制造方法
编号:S000018516
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-27
浏览:
2452
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种半导体器件,具备第1导电型的半导体层;设置在所述半导体层上的第2导电型的基底区域;设置在所述基底区域上的第2导电型的第1接触区域;栅极电极,隔着栅极绝缘膜,设置在贯通所述第1接触区域和所述基底区域并到达所述半导体层的沟槽内;层间绝缘膜,设置在所述沟槽内、所述栅极电极之上,包含第1导电型的杂质元素;第1导电型的源极区域,设置在所述层间绝缘膜与所述第1接触区域之间,与所述层间绝缘膜的侧面相接,延伸到所述基底区域的内部;与所述半导体层电连接的第1主电极;和第2主电极,设置在所述层间绝缘膜上,连接于所述源极区域和所述第1接触区域。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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