本发明是一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其具备：第1半导体层、发光层和第2半导体层层叠而成的叠层半导体层，所述第1半导体层显示第1导电类型，所述第2半导体层具有显示与第1导电类型相反的导电性的第2导电类型；与第1半导体层连接的第1电极；和设置在第2半导体层的表面的第2电极，所述发光层具有包含下述层的结构单元：第1氮化镓铟层，其被配置在与来自发光的取出方向相反的一侧，具有第1铟组成；第2氮化镓铟层，其被配置在相比于第1氮化镓铟层靠发光的取出方向的一侧，具有组成比第1铟组成小的第2铟组成；和中间层，其被设置在第1氮化镓铟层和第2氮化镓铟层之间，包含晶格常数比构成第1氮化镓铟层和第2氮化镓铟层的材料小的材料。由此，解决了在半导体发光元件中，即使要得到与铟组成的大小对应的峰波长不同多种光，也得不到具有不同峰波长的发光的问题。