一种金属-铁电体-绝缘体-半导体结构的制备方法，它是一种MFIS结构中Bi₂SiO₅绝缘层的原位生长技术，其特征在于：利用氧化铋易挥发性，通过Bi盐前驱体溶胶在热处理过程中生成Bi₂O₃，在铁电层BiFeO₃生长温度下一方面与Si衬底上的非晶SiO₂反应生成绝缘层，同时另一方面补充铁电层生长过程中所缺失的Bi；该方法有七大步骤。本发明构思科学，工艺简单，在微电子新材料技术领域里具有较好的实用价值和广阔的应用前景。