本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：引线框架；第一垂直型晶体管芯片，包括具有第一源极电极、第一漏极电极和第一栅极电极的第一垂直型晶体管，其中第一垂直型晶体管芯片附着至引线框架，第一源极电极电耦接至引线框架；第二垂直型晶体管芯片，包括具有第二源极电极、第二漏极电极和第二栅极电极的第二垂直型晶体管，其中第二垂直型晶体管芯片堆叠在第一垂直型晶体管芯片上，第二源极电极电耦接至第一垂直型晶体管的第一漏极电极。